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STMicroelectronics STV200N55F3

Name: STV200N55F3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STV200N55F3
Price: 3.66528 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (350 reviews)

Numéro de pièce MFG: STV200N55F3

quantité disponible: 88070 Pièces

Prix de référence: USD 3.66528

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: STripFET™ MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STV200N55F3.pdf

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STV200N55F3 Caractéristiques

Référence fabricant	STV200N55F3
Numéro de pièce future	FT-STV200N55F3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	STripFET™
STV200N55F3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	200A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	10-PowerSO
Paquet / caisse	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STV200N55F3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STV200N55F3-FT

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