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STMicroelectronics STU75N3LLH6

Numéro de pièce MFG
STU75N3LLH6
quantité disponible
15060 Pièces
Prix de référence
USD 1.016
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STU75N3LLH6.pdf
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STU75N3LLH6 Caractéristiques

Référence fabricant STU75N3LLH6
Numéro de pièce future FT-STU75N3LLH6
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries DeepGATE™, STripFET™ VI
STU75N3LLH6 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2030pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur I-PAK
Paquet / caisse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STU75N3LLH6 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STU75N3LLH6-FT

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