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Référence fabricant | STTH112UFY |
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Numéro de pièce future | FT-STTH112UFY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 |
STTH112UFY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.9V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-221AA, SMB Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | SMBflat |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STTH112UFY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STTH112UFY-FT |
SK54C M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK55C M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK55C R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK56C M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK59C M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK810C M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK82C M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK82C R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK83C M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK83C R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel