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Référence fabricant | STTA806DI |
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Numéro de pièce future | FT-STTA806DI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TURBOSWITCH™ |
STTA806DI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.75V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 52ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Insulated, TO-220AC |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC ins |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STTA806DI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STTA806DI-FT |
S3M M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4A M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4B M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4D M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4G M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4J M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4K M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4M M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5A M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5B M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel