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STMicroelectronics STS6P3LLH6

Name: STS6P3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STS6P3LLH6
Price: 0.41888 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (347 reviews)

Numéro de pièce MFG: STS6P3LLH6

quantité disponible: 92920 Pièces

Prix de référence: USD 0.41888

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STS6P3LLH6.pdf

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STS6P3LLH6 Caractéristiques

Référence fabricant	STS6P3LLH6
Numéro de pièce future	FT-STS6P3LLH6
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DeepGATE™, STripFET™ VI
STS6P3LLH6 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1450pF @ 24V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.7W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-SO
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STS6P3LLH6 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STS6P3LLH6-FT

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