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Référence fabricant | STS11N3LLH5 |
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Numéro de pièce future | FT-STS11N3LLH5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | STripFET™ V |
STS11N3LLH5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +22V, -20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 724pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STS11N3LLH5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STS11N3LLH5-FT |
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