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STMicroelectronics STP165N10F4

Name: STP165N10F4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP165N10F4
Price: 3.256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (258 reviews)

Numéro de pièce MFG: STP165N10F4

quantité disponible: 57660 Pièces

Prix de référence: USD 3.256

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: DeepGATE™, STripFET™ MOSFET N-CH 100V 120A TO-220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STP165N10F4.pdf

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STP165N10F4 Caractéristiques

Référence fabricant	STP165N10F4
Numéro de pièce future	FT-STP165N10F4
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DeepGATE™, STripFET™
STP165N10F4 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10500pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	315W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP165N10F4 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STP165N10F4-FT

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