maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STP13N60M2
Référence fabricant | STP13N60M2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STP13N60M2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ II Plus |
STP13N60M2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 110W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP13N60M2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STP13N60M2-FT |
STP14NM65N
STMicroelectronics
STP90N6F6
STMicroelectronics
STP27N60M2-EP
STMicroelectronics
STP15NM65N
STMicroelectronics
STP11NM65N
STMicroelectronics
STP10N62K3
STMicroelectronics
STP40NF20
STMicroelectronics
STP60NF06L
STMicroelectronics
STP100N6F7
STMicroelectronics
STP24N60DM2
STMicroelectronics
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel