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STMicroelectronics STP110N55F6

Name: STP110N55F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP110N55F6
Price: 2.472 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (594 reviews)

Numéro de pièce MFG: STP110N55F6

quantité disponible: 99870 Pièces

Prix de référence: USD 2.472

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N CH 55V 110A TO-220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STP110N55F6.pdf

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STP110N55F6 Caractéristiques

Référence fabricant	STP110N55F6
Numéro de pièce future	FT-STP110N55F6
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DeepGATE™, STripFET™ VI
STP110N55F6 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8350pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP110N55F6 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STP110N55F6-FT

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