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STMicroelectronics STLD200N4F6AG

Name: STLD200N4F6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STLD200N4F6AG
Price: 1.159104 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (466 reviews)

Numéro de pièce MFG: STLD200N4F6AG

quantité disponible: 25450 Pièces

Prix de référence: USD 1.159104

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STLD200N4F6AG.pdf

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STLD200N4F6AG Caractéristiques

Référence fabricant	STLD200N4F6AG
Numéro de pièce future	FT-STLD200N4F6AG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
STLD200N4F6AG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	172nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10700pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	158W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Paquet / caisse	8-PowerWDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STLD200N4F6AG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STLD200N4F6AG-FT

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