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STMicroelectronics STL25N60M2-EP

Numéro de pièce MFG
STL25N60M2-EP
quantité disponible
10320 Pièces
Prix de référence
USD 1.26028
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MDmesh™ M2-EP MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STL25N60M2-EP.pdf
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STL25N60M2-EP Caractéristiques

Référence fabricant STL25N60M2-EP
Numéro de pièce future FT-STL25N60M2-EP
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries MDmesh™ M2-EP
STL25N60M2-EP Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1090pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STL25N60M2-EP Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STL25N60M2-EP-FT

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