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STMicroelectronics STL225N6F7AG

Numéro de pièce MFG
STL225N6F7AG
quantité disponible
12010 Pièces
Prix de référence
USD 1.11672
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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STL225N6F7AG Caractéristiques

Référence fabricant STL225N6F7AG
Numéro de pièce future FT-STL225N6F7AG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
STL225N6F7AG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6500pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 188W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PowerFlat™ (5x6)
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STL225N6F7AG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STL225N6F7AG-FT

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