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STMicroelectronics STL17N3LLH6

Numéro de pièce MFG
STL17N3LLH6
quantité disponible
59190 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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STL17N3LLH6 Caractéristiques

Référence fabricant STL17N3LLH6
Numéro de pièce future FT-STL17N3LLH6
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries DeepGATE™, STripFET™ VI
STL17N3LLH6 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1690pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PowerFlat™ (3.3x3.3)
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STL17N3LLH6 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STL17N3LLH6-FT

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