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STMicroelectronics STL12P6F6

Numéro de pièce MFG
STL12P6F6
quantité disponible
55430 Pièces
Prix de référence
USD 0.47056
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STL12P6F6.pdf
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STL12P6F6 Caractéristiques

Référence fabricant STL12P6F6
Numéro de pièce future FT-STL12P6F6
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries DeepGATE™, STripFET™ VI
STL12P6F6 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 48V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PowerFlat™ (5x6)
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STL12P6F6 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STL12P6F6-FT

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