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Référence fabricant | STK30N2LLH5 |
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Numéro de pièce future | FT-STK30N2LLH5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | STripFET™ V |
STK30N2LLH5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 5.2W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PolarPak® |
Paquet / caisse | PolarPak® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STK30N2LLH5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STK30N2LLH5-FT |
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EP1S10F484C7N
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EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation