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Référence fabricant | STH275N8F7-6AG |
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Numéro de pièce future | FT-STH275N8F7-6AG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 |
STH275N8F7-6AG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 180A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 193nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 315W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | H2PAK-6 |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STH275N8F7-6AG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STH275N8F7-6AG-FT |
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Xilinx Inc.
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