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STMicroelectronics STH260N6F6-6

Name: STH260N6F6-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH260N6F6-6
Price: 2.043888 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (518 reviews)

Numéro de pièce MFG: STH260N6F6-6

quantité disponible: 23180 Pièces

Prix de référence: USD 2.043888

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STH260N6F6-6.pdf

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STH260N6F6-6 Caractéristiques

Référence fabricant	STH260N6F6-6
Numéro de pièce future	FT-STH260N6F6-6
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DeepGATE™, STripFET™ VI
STH260N6F6-6 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	183nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	11800pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	H2PAK-6
Paquet / caisse	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH260N6F6-6 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STH260N6F6-6-FT

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