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STMicroelectronics STH185N10F3-6

Numéro de pièce MFG
STH185N10F3-6
quantité disponible
19590 Pièces
Prix de référence
USD 2.475976
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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STH185N10F3-6 Caractéristiques

Référence fabricant STH185N10F3-6
Numéro de pièce future FT-STH185N10F3-6
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
STH185N10F3-6 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 114.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6665pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 315W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur H2PAK-6
Paquet / caisse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH185N10F3-6 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STH185N10F3-6-FT

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