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Référence fabricant | STFI4N62K3 |
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Numéro de pièce future | FT-STFI4N62K3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperMESH3™ |
STFI4N62K3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 620V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 25W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAKFP (TO-281) |
Paquet / caisse | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STFI4N62K3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STFI4N62K3-FT |
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EP20K600EBC652-1X
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