maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STFI26N60M2
Référence fabricant | STFI26N60M2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STFI26N60M2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ |
STFI26N60M2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 30W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAKFP (TO-281) |
Paquet / caisse | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STFI26N60M2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STFI26N60M2-FT |
STF24NM65N
STMicroelectronics
STF25NM50N
STMicroelectronics
STF25NM60N
STMicroelectronics
STF26NM60N-H
STMicroelectronics
STF26NM60ND
STMicroelectronics
STF30N65M5
STMicroelectronics
STF30NM50N
STMicroelectronics
STF30NM60N
STMicroelectronics
STF30NM60ND
STMicroelectronics
STF32N65M5
STMicroelectronics
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel