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STMicroelectronics STFI15N60M2-EP

Name: STFI15N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STFI15N60M2-EP
Price: 1.992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (392 reviews)

Numéro de pièce MFG: STFI15N60M2-EP

quantité disponible: 52150 Pièces

Prix de référence: USD 1.992

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: MDmesh™ M2 MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STFI15N60M2-EP.pdf

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STFI15N60M2-EP Caractéristiques

Référence fabricant	STFI15N60M2-EP
Numéro de pièce future	FT-STFI15N60M2-EP
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	MDmesh™ M2
STFI15N60M2-EP Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	378 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	25W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAKFP (TO-281)
Paquet / caisse	TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STFI15N60M2-EP Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STFI15N60M2-EP-FT

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