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STMicroelectronics STFI11N65M2

Name: STFI11N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STFI11N65M2
Availability: InStock
Rating: 4.8 (84 reviews)

Numéro de pièce MFG: STFI11N65M2

quantité disponible: 42120 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: MDmesh™ II Plus MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STFI11N65M2.pdf

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STFI11N65M2 Caractéristiques

Référence fabricant	STFI11N65M2
Numéro de pièce future	FT-STFI11N65M2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	MDmesh™ II Plus
STFI11N65M2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	670 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	410pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	25W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAKFP (TO-281)
Paquet / caisse	TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STFI11N65M2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STFI11N65M2-FT

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