maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STF25N10F7
Référence fabricant | STF25N10F7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STF25N10F7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DeepGATE™, STripFET™ VII |
STF25N10F7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 19A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 25W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220FP |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STF25N10F7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STF25N10F7-FT |
STW25NM60N
STMicroelectronics
STW25NM60ND
STMicroelectronics
STW26NM50
STMicroelectronics
STW26NM60
STMicroelectronics
STW27NM60ND
STMicroelectronics
STW28N60DM2
STMicroelectronics
STW28NK60Z
STMicroelectronics
STW29NK50Z
STMicroelectronics
STW29NK50ZD
STMicroelectronics
STW30N20
STMicroelectronics
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel