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Référence fabricant | STF11N60M2-EP |
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Numéro de pièce future | FT-STF11N60M2-EP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ M2-EP |
STF11N60M2-EP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 595 mOhm @ 3.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 25W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220FP |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STF11N60M2-EP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STF11N60M2-EP-FT |
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Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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