maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / STD845DN40
Référence fabricant | STD845DN40 |
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Numéro de pièce future | FT-STD845DN40 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
STD845DN40 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 NPN (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 4A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1A, 4A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 250µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 12 @ 2A, 5V |
Puissance - Max | 3W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD845DN40 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STD845DN40-FT |
IMT4T108
Rohm Semiconductor
PBSS4160DPN,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4160DSH
Nexperia USA Inc.
PBSS5160DS,115
Nexperia USA Inc.
SMBTA06UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCM847DS,115
Nexperia USA Inc.
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMX2T108
Rohm Semiconductor
LCMXO1200E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S50E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQ208
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6JMG80I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5D4F27C5N
Intel
5SGXEA5H2F35I3LN
Intel
LCMXO640C-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-640E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F31I5
Intel