maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STD7NS20T4
Référence fabricant | STD7NS20T4 |
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Numéro de pièce future | FT-STD7NS20T4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MESH OVERLAY™ |
STD7NS20T4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 45W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD7NS20T4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STD7NS20T4-FT |
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
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EP1S10F484C7N
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EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
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LFE2M70SE-6F900I
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation