maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STD5NM60-1
Référence fabricant | STD5NM60-1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STD5NM60-1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ |
STD5NM60-1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 96W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I-PAK |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD5NM60-1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STD5NM60-1-FT |
STB34N65M5
STMicroelectronics
STB34NM60N
STMicroelectronics
STB35N60DM2
STMicroelectronics
STB36NM60N
STMicroelectronics
STB38N65M5
STMicroelectronics
STB40N60M2
STMicroelectronics
STB43N60DM2
STMicroelectronics
STB43N65M5
STMicroelectronics
STB45N30M5
STMicroelectronics
STB45N40DM2AG
STMicroelectronics
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel