maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STD3N40K3
Référence fabricant | STD3N40K3 |
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Numéro de pièce future | FT-STD3N40K3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperMESH3™ |
STD3N40K3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 400V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 Ohm @ 900mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 30W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD3N40K3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STD3N40K3-FT |
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XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
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M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
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LFEC10E-4QN208I
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EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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