maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STD2NK60Z-1
Référence fabricant | STD2NK60Z-1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STD2NK60Z-1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperMESH™ |
STD2NK60Z-1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 45W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I-PAK |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD2NK60Z-1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STD2NK60Z-1-FT |
STB23NM50N
STMicroelectronics
STB46N30M5
STMicroelectronics
STB76NF75
STMicroelectronics
STB80N4F6AG
STMicroelectronics
STB18NM60ND
STMicroelectronics
STB28NM60ND
STMicroelectronics
STB34NM60ND
STMicroelectronics
STB36NM60ND
STMicroelectronics
STB140N4F6
STMicroelectronics
STB41N40DM6AG
STMicroelectronics
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel