maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STD12N65M2
Référence fabricant | STD12N65M2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STD12N65M2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ M2 |
STD12N65M2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 85W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD12N65M2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STD12N65M2-FT |
STP8NM60N
STMicroelectronics
STP8NM60ND
STMicroelectronics
STP8NS25
STMicroelectronics
STP90N4F3
STMicroelectronics
STP90N55F4
STMicroelectronics
STP95N04
STMicroelectronics
STP95N2LH5
STMicroelectronics
STP95N3LLH6
STMicroelectronics
STP9NK60ZD
STMicroelectronics
STP9NK70Z
STMicroelectronics
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel