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STMicroelectronics STD120N4LF6

Name: STD120N4LF6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD120N4LF6
Price: 1.1286 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (337 reviews)

Numéro de pièce MFG: STD120N4LF6

quantité disponible: 66650 Pièces

Prix de référence: USD 1.1286

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STD120N4LF6.pdf

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STD120N4LF6 Caractéristiques

Référence fabricant	STD120N4LF6
Numéro de pièce future	FT-STD120N4LF6
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
STD120N4LF6 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4300pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD120N4LF6 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STD120N4LF6-FT

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