maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STD10P6F6
Référence fabricant | STD10P6F6 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STD10P6F6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DeepGATE™, STripFET™ VI |
STD10P6F6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 48V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 35W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD10P6F6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STD10P6F6-FT |
STP7NK30Z
STMicroelectronics
STP7NM50N
STMicroelectronics
STP7NM60N
STMicroelectronics
STP80N20M5
STMicroelectronics
STP80N70F4
STMicroelectronics
STP80N70F6
STMicroelectronics
STP80NE03L-06
STMicroelectronics
STP80NE06-10
STMicroelectronics
STP80NF03L
STMicroelectronics
STP80NF06
STMicroelectronics
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel