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STMicroelectronics STD100N10LF7AG

Name: STD100N10LF7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD100N10LF7AG
Price: 1.072 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (387 reviews)

Numéro de pièce MFG: STD100N10LF7AG

quantité disponible: 66680 Pièces

Prix de référence: USD 1.072

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 MOSFET N-CH 100V 80A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STD100N10LF7AG.pdf

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STD100N10LF7AG Caractéristiques

Référence fabricant	STD100N10LF7AG
Numéro de pièce future	FT-STD100N10LF7AG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
STD100N10LF7AG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4000pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD100N10LF7AG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STD100N10LF7AG-FT

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