maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / SST26WF064CT-104I/SM
Référence fabricant | SST26WF064CT-104I/SM |
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Numéro de pièce future | FT-SST26WF064CT-104I/SM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SST26 SQI® |
SST26WF064CT-104I/SM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8) |
Fréquence d'horloge | 104MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 1.5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SST26WF064CT-104I/SM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SST26WF064CT-104I/SM-FT |
GD25Q16CTJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel