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Référence fabricant | SST25VF080B-50-4I-S2AE-T |
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Numéro de pièce future | FT-SST25VF080B-50-4I-S2AE-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SST25 |
SST25VF080B-50-4I-S2AE-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8) |
Fréquence d'horloge | 50MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10µs |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SST25VF080B-50-4I-S2AE-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SST25VF080B-50-4I-S2AE-T-FT |
GD25Q16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation