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Référence fabricant | SST25VF040B-50-4I-S2AE |
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Numéro de pièce future | FT-SST25VF040B-50-4I-S2AE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SST25 |
SST25VF040B-50-4I-S2AE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | 50MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10µs |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SST25VF040B-50-4I-S2AE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SST25VF040B-50-4I-S2AE-FT |
GD25LQ64CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited