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Référence fabricant | SST25VF040B-50-4I-S2AE-T |
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Numéro de pièce future | FT-SST25VF040B-50-4I-S2AE-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SST25 |
SST25VF040B-50-4I-S2AE-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | 50MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10µs |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SST25VF040B-50-4I-S2AE-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SST25VF040B-50-4I-S2AE-T-FT |
GD25LQ64CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel