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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N61NU,LF
- Numéro de pièce MFG
- SSM6N61NU,LF
- quantité disponible
- 11750 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.12028
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Brève description
- - MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- SSM6N61NU,LF.pdf
SSM6N61NU,LF Caractéristiques
| Référence fabricant | SSM6N61NU,LF |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-SSM6N61NU,LF |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| SSM6N61NU,LF Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caractéristique FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 10V |
| Puissance - Max | 2W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 6-WDFN Exposed Pad |
| Package d'appareils du fournisseur | 6-UDFNB (2x2) |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SSM6N61NU,LF Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | SSM6N61NU,LF-FT |
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