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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE,LF

Name: SSM6K211FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K211FE,LF
Price: 0.11748 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (110 reviews)

Numéro de pièce MFG: SSM6K211FE,LF

quantité disponible: 60930 Pièces

Prix de référence: USD 0.11748

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSIII MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SSM6K211FE,LF.pdf

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SSM6K211FE,LF Caractéristiques

Référence fabricant	SSM6K211FE,LF
Numéro de pièce future	FT-SSM6K211FE,LF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSIII
SSM6K211FE,LF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	47 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10.8nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	ES6
Paquet / caisse	SOT-563, SOT-666
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6K211FE,LF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SSM6K211FE,LF-FT

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