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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU,LF

Numéro de pièce MFG
SSM6J512NU,LF
quantité disponible
76350 Pièces
Prix de référence
USD 0.10428
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSVII MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SSM6J512NU,LF.pdf
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SSM6J512NU,LF Caractéristiques

Référence fabricant SSM6J512NU,LF
Numéro de pièce future FT-SSM6J512NU,LF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSVII
SSM6J512NU,LF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.2 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 6V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 6-UDFNB (2x2)
Paquet / caisse 6-WDFN Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6J512NU,LF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SSM6J512NU,LF-FT

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