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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE(TE85L,F

Name: SSM6J213FE(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J213FE(TE85L,F
Price: 0.0792 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (12 reviews)

Numéro de pièce MFG: SSM6J213FE(TE85L,F

quantité disponible: 90100 Pièces

Prix de référence: USD 0.0792

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSVI MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SSM6J213FE(TE85L,F.pdf

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SSM6J213FE(TE85L,F Caractéristiques

Référence fabricant	SSM6J213FE(TE85L,F
Numéro de pièce future	FT-SSM6J213FE(TE85L,F
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSVI
SSM6J213FE(TE85L,F Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	ES6
Paquet / caisse	SOT-563, SOT-666
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6J213FE(TE85L,F Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SSM6J213FE(TE85L,F-FT

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