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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J207FE,LF

Numéro de pièce MFG
SSM6J207FE,LF
quantité disponible
51840 Pièces
Prix de référence
USD 0.09636
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSII MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SSM6J207FE,LF.pdf
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SSM6J207FE,LF Caractéristiques

Référence fabricant SSM6J207FE,LF
Numéro de pièce future FT-SSM6J207FE,LF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSII
SSM6J207FE,LF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 251 mOhm @ 650mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 137pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur ES6 (1.6x1.6)
Paquet / caisse SOT-563, SOT-666
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6J207FE,LF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SSM6J207FE,LF-FT

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