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Référence fabricant | SSM3K336R,LF |
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Numéro de pièce future | FT-SSM3K336R,LF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | U-MOSVII-H |
SSM3K336R,LF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 126pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23F |
Paquet / caisse | SOT-23-3 Flat Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM3K336R,LF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SSM3K336R,LF-FT |
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Microsemi Corporation
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
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EP20K100EBI356-2X
Intel