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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36MFV,L3F
- Numéro de pièce MFG
- SSM3J36MFV,L3F
- quantité disponible
- 18350 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Brève description
- U-MOSIII MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- SSM3J36MFV,L3F.pdf
SSM3J36MFV,L3F Caractéristiques
| Référence fabricant | SSM3J36MFV,L3F |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-SSM3J36MFV,L3F |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | U-MOSIII |
| SSM3J36MFV,L3F Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
| Type de FET | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 330mA (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 10V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 150mW (Ta) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | VESM |
| Paquet / caisse | SOT-723 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SSM3J36MFV,L3F Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | SSM3J36MFV,L3F-FT |
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