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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV,L3F

Name: SSM3J35MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35MFV,L3F
Price: 0.0272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (160 reviews)

Numéro de pièce MFG: SSM3J35MFV,L3F

quantité disponible: 50210 Pièces

Prix de référence: USD 0.0272

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SSM3J35MFV,L3F.pdf

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SSM3J35MFV,L3F Caractéristiques

Référence fabricant	SSM3J35MFV,L3F
Numéro de pièce future	FT-SSM3J35MFV,L3F
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
SSM3J35MFV,L3F Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12.2pF @ 3V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	150mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	VESM
Paquet / caisse	SOT-723
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3J35MFV,L3F Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SSM3J35MFV,L3F-FT

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