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Référence fabricant | SSM3J120TU,LF |
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Numéro de pièce future | FT-SSM3J120TU,LF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | U-MOSIV |
SSM3J120TU,LF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 3A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22.3nC @ 4V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1484pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | UFM |
Paquet / caisse | 3-SMD, Flat Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM3J120TU,LF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SSM3J120TU,LF-FT |
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Xilinx Inc.
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