maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SS8P3LHM3_A/I
Référence fabricant | SS8P3LHM3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-SS8P3LHM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
SS8P3LHM3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 570mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 330pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS8P3LHM3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS8P3LHM3_A/I-FT |
BAT43WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel