maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SS5P10-M3/86A
Référence fabricant | SS5P10-M3/86A |
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Numéro de pièce future | FT-SS5P10-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP® |
SS5P10-M3/86A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 15µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS5P10-M3/86A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS5P10-M3/86A-FT |
1N4148WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel