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Référence fabricant | SS3H10-M3/9AT |
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Numéro de pièce future | FT-SS3H10-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS3H10-M3/9AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS3H10-M3/9AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS3H10-M3/9AT-FT |
VS-86HF80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-86HFR10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-86HFR100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-86HFR120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-86HFR160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-86HFR20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-86HFR40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-86HFR60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-86HFR80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFLR60S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
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10AX032H4F35E3SG
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Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
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EP3SL70F780C3
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