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Référence fabricant | SS3H10-E3/57T |
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Numéro de pièce future | FT-SS3H10-E3/57T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS3H10-E3/57T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS3H10-E3/57T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS3H10-E3/57T-FT |
VS-71HFR120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-71HFR140
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-71HFR160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-71HFR20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-71HFR40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-71HFR60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-71HFR80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HF80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFR80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-85HF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel